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BFQ 19S E6327产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFQ 19S E6327由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFQ 19S E6327价格参考。InfineonBFQ 19S E6327封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 15V 210mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89。您可以下载BFQ 19S E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFQ 19S E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFQ19S E6327 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款双极射频晶体管 (BJT),专为高频和射频应用设计。以下是其主要应用场景: 1. 射频放大器 BFQ19S E6327 主要用于射频放大器电路中,尤其是在低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)中。该晶体管具有较低的噪声系数和较高的增益,能够在高频段(如VHF、UHF频段)提供稳定的性能,适用于通信设备中的信号放大。 2. 无线通信设备 该型号广泛应用于各种无线通信设备中,如对讲机、无线耳机、无线麦克风等。它能够处理射频信号的放大和调制,确保信号传输的稳定性和清晰度。由于其低噪声特性和高线性度,BFQ19S E6327 在这些设备中表现出色,尤其适合需要高保真音频传输的应用。 3. 射频前端模块 在射频前端模块(RF FEM)中,BFQ19S E6327 可以作为放大器或开关使用。它能够有效地处理来自天线的微弱信号,并将其放大到足够的强度,以便后续处理。此外,该晶体管还具有良好的线性度,减少了信号失真,提高了系统的整体性能。 4. 无线电收发器 在无线电收发器中,BFQ19S E6327 通常用于接收端的低噪声放大器和发射端的驱动放大器。它能够在较宽的频率范围内保持稳定的增益和噪声特性,确保信号的可靠传输。该晶体管还具有较快的开关速度,适用于需要快速响应的无线电系统。 5. 测试与测量设备 在射频测试与测量设备中,BFQ19S E6327 可用于信号源、频谱分析仪等仪器中。它能够提供精确的信号放大和调制功能,帮助工程师进行射频信号的分析和调试。由于其高线性度和低噪声特性,该晶体管非常适合用于要求严格的测试环境。 总结 BFQ19S E6327 是一款高性能的射频双极晶体管,广泛应用于射频放大器、无线通信设备、射频前端模块、无线电收发器以及测试与测量设备中。它的低噪声、高增益和高线性度使其成为射频电路设计中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-89两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BFQ 19S E6327- |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfq19s.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142683f6870630 |
产品型号 | BFQ 19S E6327 |
PCN设计/规格 | |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 70mA,8V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | PG-SOT89-4 |
其它名称 | BFQ 19S E6327CT |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 3 V |
商标 | Infineon Technologies |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz |
增益 | 7dB ~ 11.5dB |
增益带宽产品fT | 5500 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | SOT-89-4 |
工具箱 | /product-detail/zh/KIT%20RF%20TRANS.%202/KITRFTRANS.2IN-ND/2025016 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.21 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 15V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 210mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 at 70 mA at 8 V |
系列 | BFQ19 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
集电极—基极电压VCBO | 20 V |
集电极连续电流 | 0.21 A |
零件号别名 | BFQ19SE6327HTSA1 SP000011042 |
频率-跃迁 | 5.5GHz |